AlN-230 旗舰基板正式量产，体导热锁定 230 W/m·K

2026 年 6 月，驷道科技宣布最高导热等级的氮化铝陶瓷基板 AlN-230 正式进入量产阶段——体导热率稳定在 230 W/m·K，体积电阻率 ≥10¹⁴ Ω·cm，成为公司功率模块产品线的旗舰型号。

该型号以高纯氮化铝粉体经流延法成型、氮气气氛高温烧结而成，米黄外观、表面粗糙度控制在 0.2 – 0.4 μm。相比标准 AlN-170，热导率提升约 35%，让 IGBT、SiC、GaN 功率器件可以在更小的封装里承载更高的电流密度。

为什么是 230

功率半导体正在从硅向碳化硅、氮化镓迁移，芯片结温更高、热流密度更大，基板作为芯片的第一层散热路径，其导热能力直接决定模块能跑多大电流。AlN-230 把体导热推到量产可达的高位，同时保持 4 – 6 × 10⁻⁶/K 的热膨胀系数与硅近匹配，减少热循环下的翘曲与分层风险。

量产验证阶段，驷道对连续 20 个批次进行了抽检：热导率标准差控制在 ±5 W/m·K 以内，三点弯曲强度 ≥300 MPa，击穿电压 ≥17 kV/mm——各项指标均满足车规功率模块的供货要求。

交付节奏

目前 AlN-230 已开放打样：附上图纸或工况描述，5 个工作日内寄出试样，30 个工作日完成小批量交付。异形、厚壁、超薄与覆铜（DBC / AMB）需求可同步对接。