SIDAO · 驷道科技 · 电子陶瓷基板

让芯片的热,
走得更快。

AlN-230 体导热 230 W/(m·K) · Si₃N₄ 抗弯 ≥800 MPa
体积电阻率 ≥10¹⁴ Ω·cm · 击穿 ≥15 kV/mm · 流延 / 干压 / 注射成型 · 苏州出厂
13 款
基板型号 · 4 材料族
3 工艺
流延 / 干压 / 注射
苏州
自有产线 · Suzhou
138.0 ± 0.05 mmCu · DBC190.0 ± 0.05 mmAAAlN-230 SUBSTRATEk = 230 W/m·K · t = 0.38 mmTape-cast · N₂-sinteredSECTION A-A · ×40CuAlNCuDWG NO.230-138190-ASCALENTSSHEET1 / 1
FIG · 01 AlN-230 SUBSTRATE TOP VIEW技术制图 · TECHNICAL DRAWING
SCROLL
§ 01 · MATERIAL

不是陶瓷外壳,是芯片的第一层散热路径

我们做的是流延法生产的电子陶瓷基板 —— 微观看是 5 μm 量级的氮化铝晶粒,宏观看是 138 × 190 mm、0.38 mm 厚的薄片。晶界、孔隙、粗糙度的每一点优化,最终决定芯片能跑多大电流。

SEM ×2000 · 材料微观结构示意图材料微观结构 · SEM
10 μm
AlN-230 · MICRO
SUZHOU · LAB-04

三个硬指标,
说清楚一片基板能不能用。

§ 02 · CORE SPECS
01 / 03W/m·K
230W/m·K
体导热 · Thermal k
@ 25 ℃ · AlN-230
96 Al₂O₃≥20
Si₃N₄≥80
AlN-170≥170
AlN-230≥230
02 / 03MPa
800MPa
抗弯强度 · Flexural
三点抗弯 · Si₃N₄-80
96 Al₂O₃≥350
AlN≥380
99 Al₂O₃~420
Si₃N₄-80≥800
03 / 03Ω·cm
1014Ω·cm
体积电阻率 · Resistivity
@ 25 ℃ · 全系绝缘
10⁻⁶
硅(本征)10⁵
玻璃10¹²
本系陶瓷≥10¹⁴
§ 03 · GET IN TOUCH

把工况告诉工程师,
5 个工作日寄出试样。

附上图纸或参数要求 —— 流延、干压、注射三线并行,异形、厚壁、超薄、批量都做。30 个工作日完成小批量交付,工程师 24 小时内回复。

DIRECT LINE · 直拨
0512-67426963
吴吉良 · 总经理(手机 13372184077)
EMAILwujiliang@szsidao.com
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