高端氮化铝（AlN）、氮化硅（Si₃N₄）、ZTA、高纯氧化铝（Al₂O₃）—— 全部自研自产，性能参数全数据公开。
高性价比绝缘基板,通用性强,适配厚膜电路与常规功率封装。
超高导热,远超氧化铝,为 IGBT、激光、大功率散热而生。
注射成型精密异形件,带定位孔与缺口,公差稳定,批量一致。
超高强度与韧性,承力高可靠场景首选,如新能源车功率模块。
高纯氮化铝粉体经流延法成型, 氮气气氛高温烧结而成 —— 米黄外观, 表面粗糙度 0.2 – 0.4 μm。230 W/m·K 的体导热配合 ≥10¹⁴ Ω·cm 的体积电阻率, 让 IGBT、SiC、GaN 功率器件可以在更小的封装里承载更高的电流密度。CTE 4 – 6 × 10⁻⁶/K 与 Si 近匹配。
四个牌号关键性能横向对照，选型一目了然。
| 指标 · Spec | 单位 | AlN-170 | AlN-200 | AlN-230 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 基本性能 | |||||
| 外观 | — | — | 灰色 | 米黄 | 米黄 |
| 密度 | — | g/cm³ | ≥3.30 | ≥3.30 | ≥3.30 |
| 表面粗糙度 | — | μm | 0.2 – 0.3 | 0.2 – 0.4 | 0.2 – 0.4 |
| 热学性能 | |||||
| 热导率 | 25 ℃ | W/m·K | 170 | 200 | 230 |
| 热膨胀系数 | 25 – 800 ℃ | 10⁻⁶/K | 4 – 6 | 4 – 6 | 4 – 6 |
| 力学性能 | |||||
| 折弯强度 | — | MPa | ≥400 | ≥350 | ≥300 |
| 断裂韧性 | — | MPa·m½ | 3 – 3.5 | 2.5 – 3 | 2 – 2.5 |
| 电学性能 | |||||
| 介电常数 | 1 MHz | — | 8 – 9 | 8 – 9 | 8 – 9 |
| 介质损耗 | 1 MHz | 10⁻⁴ | < 3 | < 3 | < 3 |
| 体积电阻率 | 25 ℃ | Ω·cm | ≥10¹⁴ | ≥10¹⁴ | ≥10¹⁴ |
| 击穿电压 | AC | kV/mm | ≥17 | ≥17 | ≥17 |
| 指标 · Spec | 单位 | AL-96 | AL-99 | |
|---|---|---|---|---|
| 基本性能 | ||||
| 外观 | — | — | 白色 | 白色 |
| 密度 | — | g/cm³ | ≥3.70 | ≥3.70 |
| 表面粗糙度 | — | μm | 0.2 – 0.75 | 0.1 – 0.3 |
| 热学性能 | ||||
| 热导率 | 25 ℃ | W/m·K | 24 | 29 |
| 热膨胀系数 | 25 – 800 ℃ | 10⁻⁶/K | 6 – 8 | 6 – 8 |
| 力学性能 | ||||
| 折弯强度 | — | MPa | ≥400 | ≥450 |
| 断裂韧性 | — | MPa·m½ | 3 – 3.5 | 3 – 3.5 |
| 电学性能 | ||||
| 介电常数 | 1 MHz | — | 9 – 10 | 9.7 – 10.5 |
| 介质损耗 | 1 MHz | 10⁻⁴ | < 3 | < 1 |
| 体积电阻率 | 25 ℃ | Ω·cm | ≥10¹⁴ | ≥10¹⁴ |
| 击穿电压 | AC | kV/mm | ≥17 | ≥17 |
附上图纸或参数要求, 5 个工作日内寄出试样, 30 个工作日完成小批量交付。